An apparatus for matching the impedance of an RF generator to the impedance
of an RF load, for use in manufacturing semiconductor devices by using a
plasma. The apparatus includes a variable inductor coupled to a variable
capacitor and an invariable capacitor, the variable inductor having two
inductors coupled electrically with each other in series and disposed
adjacent to each other. At least one of the two inductors is disposed
movably to make the magnetic flux of the one inductor interfere with the
magnetic flux of the other inductor, thereby to control the inductance of
the variable inductor. In the case of a plasma enhanced semiconductor
wafer processing system, the apparatus can reduce the time necessary to
achieve an RF match between the RF generator and the RF load, thereby
increasing the life of the apparatus.
Un aparato para emparejar la impedancia de un generador del RF a la impedancia de una carga del RF, para el uso en dispositivos de semiconductor de fabricación usando un plasma. El aparato incluye un inductor variable juntado a un condensador variable y a un condensador invariable, el inductor variable que tiene dos inductores juntados eléctricamente con uno a en serie y dispuestos adyacente a uno a. Por lo menos uno de los dos inductores se dispone movible para hacer que el flujo magnético del un inductor interfiere con el flujo magnético del otro inductor, de tal modo controlar la inductancia del inductor variable. En el caso de un sistema de proceso realzado plasma de la oblea de semiconductor, el aparato puede reducir el tiempo necesario para alcanzar un fósforo del RF entre el generador del RF y la carga del RF, de tal modo aumentando la vida del aparato.
