When a mask is irradiated obliquely with light from a lighting system, the
light reflected from the mask is projected onto a wafer through a
projection optical system, and the pattern of the mask is transferred to
the wafer. If the magnification of the projection optical system changes
because of a vertical movement of the mask, a control unit detects the
projection position of the mask pattern image on a stage by an aerial
image sensor and also detects a mark on the aerial image sensor by a mark
detector so as to determine the baseline of the mark detector. Thus, the
positional shift of the projection position of the mask pattern image on
the wafer due to the change in magnification is corrected to sufficiently
restrict or prevent alignment inaccuracy associated with the change in
magnification.
Όταν μια μάσκα ακτινοβολείται πλάγια με το φως από ένα σύστημα φωτισμού, το φως που απεικονίζεται από τη μάσκα προβάλλεται επάνω σε μια γκοφρέτα μέσω ενός οπτικού συστήματος προβολής, και το σχέδιο της μάσκας μεταφέρεται στην γκοφρέτα. Εάν η ενίσχυση του οπτικού συστήματος προβολής αλλάζει λόγω μιας κάθετης μετακίνησης της μάσκας, μια μονάδα ελέγχου ανιχνεύει τη θέση προβολής της εικόνας σχεδίων μασκών σε ένα στάδιο από έναν εναέριο αισθητήρα εικόνας και ανιχνεύει επίσης ένα σημάδι στον εναέριο αισθητήρα εικόνας από έναν ανιχνευτή σημαδιών ώστε να καθοριστεί η βασική γραμμή του ανιχνευτή σημαδιών. Κατά συνέπεια, η θεσιακή μετατόπιση της θέσης προβολής της εικόνας σχεδίων μασκών στην γκοφρέτα λόγω στην αλλαγή στην ενίσχυση διορθώνεται για να περιορίσει αρκετά ή να αποτρέψει την ανακρίβεια ευθυγράμμισης που συνδέεται με την αλλαγή στην ενίσχυση.
