A new nonvolatile hybrid memory cell is provided. The cell is comprised of
a magnetic spin storage element and one or two semiconductor FET isolation
elements. The magnetic spin storage element is an electron spin-based
memory element situated on a silicon based substrate and includes a first
ferromagnetic layer with a changeable magnetization state, a second
ferromagnetic layer with a non-changeable magnetization state, a base
layer situated between said first ferromagnetic layer and said second
ferromagnetic layer, and a low transmission barrier. The low transmission
barrier can be used to adjust a relative base resistance/transimpedance
relationship, and thus configure an offset of the device to give a range
of outputs ranging from bipolar to unipolar.
Eine neue permanente hybride Speicherzelle wird zur Verfügung gestellt. Die Zelle wird von einem magnetischen Drehbeschleunigungspeicherelement und von ein oder zwei Halbleiter FET Lokalisierung Elementen enthalten. Das magnetische Drehbeschleunigungspeicherelement ist ein Elektron spinnen-gegründetes Gedächtniselement, das auf einem Silikon gegründeten Substrat aufgestellt wird und schließt eine erste ferromagnetische Schicht mit einem veränderbaren Magnetisierung Zustand, eine zweite ferromagnetische Schicht mit einem nicht-veränderbaren Magnetisierung Zustand, eine Basisschicht ein, die zwischen besagter erster ferromagnetischer Schicht und besagter zweiter ferromagnetischer Schicht und einer niedrigen Getriebesperre aufgestellt wird. Die niedrige Getriebesperre kann benutzt werden, um ein relatives Unterseite resistance/transimpedance Verhältnis zu justieren und baut folglich einen Versatz der Vorrichtung zusammen, um eine Strecke der Ausgänge zu geben, die von zweipoligem zu unipolarem reichen.
