A DRAM of an open bit line structure has a cell area smaller than that of a
DRAM of a folded bit line structure and is susceptible to noise. A
conventional DRAM of an open bit line structure has a large bit line
capacitance and is susceptible to noise or has a large cell area. There
has been no DRAM of an open bit line structure having a small bit line
capacitance, unsusceptible to noise and having a small cell area. The
present invention forms capacitor lower electrode plug holes not aligned
with bit lines to reduce bit line capacitance. Bit lines are formed in a
small width, capacitor lower electrode plugs are dislocated from positions
corresponding to the centers of the bit lines in directions away from the
bit lines and the contacts are formed in a reduced diameter to avoid
increasing the cell area. Thus a semiconductor storage device of an open
bit line structure resistant to noise and having a small cell area is
provided.
Ein DRAM von geöffneten Spitze Leitungsstruktur hat ein Zelle Bereich kleiner als der eines DRAM von gefaltetem Spitze Leitungsstruktur und ist gegen Geräusche empfindlilch. Ein herkömmlicher DRAM von geöffneten Spitze Leitungsstruktur hat großes Spitze Leitungskapazität und ist gegen Geräusche empfindlilch oder hat einen großen Zelle Bereich. Hat gewesen kein DRAM von geöffneten Spitze die Leitungsstruktur, die kleines Spitze Leitungskapazität hat, unsusceptible noise und einen kleinen Zelle Bereich, die hat. Die Geschenkerfindung bildet die untereren Verschlußstopfen-Öffnungen Elektrode des Kondensators, die nicht mit Spitze Linien ausgerichtet sind, um Spitze Leitungskapazität zu verringern. Spitze Linien werden in einer kleinen Breite gebildet, des Kondensators werden Stecker Elektrode niedriger von den Positionen verrückt, die den Mitten der Spitze Linien in den Richtungen weg von den Spitze Linien entsprechen und die Kontakte werden in einem verringerten Durchmesser gebildet, um den, Zelle Bereich zu erhöhen zu vermeiden. So wird eine Halbleiterspeichervorrichtung von geöffneten Spitze die Leitungsstruktur, die gegen Geräusche und Haben eines kleinen Zelle Bereichs beständig ist, zur Verfügung gestellt.
