To improve the operation characteristic and reliability of a semiconductor
device by optimizing the structure of bottom gate type or inverted stagger
type TFTs arranged in circuits of the semiconductor device in accordance
with the function of the respective circuits. At least LDD regions that
overlap with a gate electrode are formed in an N channel type TFT of a
driving circuit, and LDD regions that do not overlap with the gate
electrode are formed in an N channel type TFT of a pixel matrix circuit.
The concentration of the two kinds of LDD regions is differently set from
each other, to thereby obtain the optimal circuit operation.
Для того чтобы улучшить характеристику деятельности и надежность прибора на полупроводниках путем оптимизировать структуру нижнего строба напечатайте на машинке или перевернул расположите ступенями тип TFTs аранжированное в цепях прибора на полупроводниках в соответствии с функцией соответственно цепей. По крайней мере зоны LDD перекрывают с электродом строба сформированы в типе канала TFT н управляя цепи, и зонах LDD которые не перекрывают с электродом строба сформированы в типе канала TFT н цепи матрицы пиксела. Концентрация 2 видов зон LDD по-разному установлена от себя, таким образом для того чтобы получить оптимальную деятельность цепи.
