Silicon wafers with stabilized oxygen precipitate nucleation centers and process for making the same

   
   

A silicon wafer having a controlled oxygen precipitation behavior such that a denuded zone extending inward from the front surface and oxygen precipitates in the wafer bulk sufficient for intrinsic gettering purposes are ultimately formed. Specifically, prior to formation of the oxygen precipitates, the wafer bulk comprises dopant stabilized oxygen precipitate nucleation centers. The dopant is selected from a group consisting of nitrogen and carbon and the concentration of the dopant is sufficient to allow the oxygen precipitate nucleation centers to withstand thermal processing such as an epitaxial deposition process while maintaining the ability to dissolve any grown-in nucleation centers.

Une gaufrette de silicium ayant un comportement commandé de précipitation de l'oxygène tels qu'une zone dénudée se prolongeant vers l'intérieur des précipités avant de surface et d'oxygène dans le volume de gaufrette suffisamment pour des buts gettering intrinsèques sont finalement formées. Spécifiquement, avant la formation des précipités de l'oxygène, le volume de gaufrette comporte les centres de nucléation de précipité de l'oxygène stabilisés par dopant. Le dopant est choisi parmi un azote se composant de groupe et le carbone et la concentration du dopant est suffisant pour permettre aux centres de nucléation de précipité de l'oxygène de résister au traitement thermique tel qu'un procédé épitaxial de dépôt tandis que le maintien de la capacité de dissoudre accroître-dans la nucléation en centre.

 
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