Cells in a non-volatile memory are programmed in parallel using a variable
program bandwidth. The variable program bandwidth is an automatic
variation in the number of cells pulsed in parallel based upon a
predefined electrical current provisioning capability. The variation in
programming number may be based upon whether a program pulse represents an
initial pulse or a re-pulse. Additionally, or alternatively, the variation
in programming number may be based upon a cell level to be programmed by a
pulse in a MLC device.
Le cellule in una memoria non volatile sono programmate parallelamente usando una larghezza di banda variabile di programma. La larghezza di banda variabile di programma è una variazione automatica nel numero di cellule ha pulsato parallelamente basato su una possibilità corrente elettrica predefinita di provisioning. La variazione nel numero di programmazione può essere basata su se un impulso di programma rappresenta un impulso iniziale o un rifiuto. Ulteriormente, o alternativamente, la variazione nel numero di programmazione può essere basata su un livello delle cellule da programmare da un impulso in un dispositivo di MLC.
