A microdevice that comprises a device microstructure (22), a substrate
(24), and a silicon cap (30, 130). The device microstructure (22) is
attached to the substrate (24). The silicon cap (30, 130) has a base
portion (32, 132) and a sidewall (34, 134) that defines a recess (36, 136)
in the cap (30, 130). The silicon cap (30, 130) is attached to the
substrate (24) such that the recess (36, 136) in the cap (30, 130) houses
the device microstructure (22) and forms a hermetically sealed cavity (38)
adjacent the device microstructure (22). The silicon cap (30, 130) further
has a single crystalline silicon getter layer (40, 140) embedded along its
recess (36, 136) for maintaining a vacuum within the cavity (38). There
are also methods of making a microdevice containing a single crystalline
silicon getter layer (40, 140).
Un microdevice que abarca una microestructura del dispositivo (22), un substrato (24), y un casquillo del silicio (30, 130). La microestructura del dispositivo (22) se une al substrato (24). El casquillo del silicio (30, 130) tiene una porción baja (32, 132) y un flanco (34, 134) que defina una hendidura (36, 136) en el casquillo (30, 130). El casquillo del silicio (30, 130) se une al substrato (24) tales que la hendidura (36, 136) en el casquillo (30, 130) contiene la microestructura del dispositivo (22) y forma una cavidad hermético sellada (38) adyacente la microestructura del dispositivo (22). El casquillo del silicio (30, 130) tiene más lejos una sola capa cristalina del comprador del silicio (40, 140) encajada a lo largo de su hendidura (36, 136) para mantener un vacío dentro de la cavidad (38). Hay también métodos de hacer un microdevice que contiene una sola capa cristalina del comprador del silicio (40, 140).
