A new method and structure for the combined creation of CMOS devices and
LED devices. The process starts with a substrate over the surface of which
are designated a first surface region for the creation of CMOS devices
there-over and a second surface region for the creation of LED devices
there-over. A relatively thick layer of gate oxide is created over the
surface of the substrate. The first surface region is blocked by a mask of
photoresist after which the second surface region is exposed to a plasma
etch, thereby providing roughness to the surface of the relatively thick
layer of gate oxide and reducing the thickness thereof. The blocking mask
is removed, additional oxidation of the exposed surface creates a
relatively thick layer of gate oxide over the first surface area and a
relatively thin layer of gate oxide over the second surface area.
Новые метод и структура для совмещенного творения приспособлений cmos и приспособлений led. Процесс начинает с субстратом над поверхностью первая зона поверхности для творения приспособлений cmos там-nad и второй зоны поверхности для творения приспособлений led там-nad. Относительно толщиной слой окиси строба создан над поверхностью субстрата. Первая зона поверхности прегражена маской фоторезиста after which вторая зона поверхности подвергается действию к etch плазмы, таким образом шершавость поверхность относительно толщиного слоя окиси строба и уменьшая толщину thereof. Преграждая маска извлекается, дополнительная оксидация, котор подвергли действию поверхности создает относительно толщиной слой окиси строба над первой поверхностной областью и относительно thin.layer окиси строба над второй поверхностной областью.
