Structure and method for transverse field enhancement

   
   

Structures and methods for making a magnetic structure are discussed. Various embodiments increase a magnetic field to unambiguously select a magnetic memory cell structure. One method includes folding a current line into two portions around a magnetic memory cell structure. Each portion contributes its magnetic flux to increase the magnetic field to unambiguously select the magnetic memory cell structure. Another method increases the flux density by reducing a cross-sectional area of a portion of the current line, wherein the portion of the current line is adjacent to the to the magnetic memory cell structure.

Οι δομές και οι μέθοδοι για μια μαγνητική δομή συζητούνται. Οι διάφορες ενσωματώσεις αυξάνουν ένα μαγνητικό πεδίο για να επιλέξουν σαφώς μια μαγνητική δομή κυττάρων μνήμης. Μια μέθοδος περιλαμβάνει το δίπλωμα μιας τρέχουσας γραμμής σε δύο μερίδες γύρω από μια μαγνητική δομή κυττάρων μνήμης. Κάθε μερίδα συμβάλλει τη μαγνητική ροή της για να αυξήσει το μαγνητικό πεδίο για να επιλέξει σαφώς τη μαγνητική δομή κυττάρων μνήμης. Μια άλλη μέθοδος αυξάνει την πυκνότητα ροής με τη μείωση ενός διατομικού τομέα μιας μερίδας της τρέχουσας γραμμής, όπου η μερίδα της τρέχουσας γραμμής είναι δίπλα στη μαγνητική δομή κυττάρων μνήμης.

 
Web www.patentalert.com

< Temperature dependent write current source for magnetic tunnel junction MRAM

< Pipeline nonvolatile memory device with multi-bit parallel read and write suitable for cache memory.

> Memory device capable of performing high speed reading while realizing redundancy replacement

> Nonvolatile semiconductor memory device

~ 00138