A method for composing a dielectric layer within an interconnect structure
of a multilayer semiconductor device is disclosed. A layer of silica
precursor material is first deposited on a silicon substrate. Without
affecting its structure and porosity, the layer of silica precursor
material is then dried; and the layer of silica precursor material becomes
porous silica film. Subsequently, a protective layer, such as parylene, is
deposited on top of the dried porous silica film. The thickness of the
protective layer should be greater than the peak-valley planarization
requirements of the silicon substrate surface. As a result, a composite
porous silica film, which services as a dielectric layer within an
interconnect structure, is formed. This composite porous silica film has a
relatively low dielectric constant and is able to withstand damage from a
standard CMP procedure.
Une méthode pour composer une couche diélectrique dans une structure d'interconnexion d'un dispositif de semi-conducteur multicouche est révélée. Une couche de matériel de précurseur de silice est d'abord déposée sur un substrat de silicium. Sans affecter sa structure et porosité, la couche de matériel de précurseur de silice est alors séchée ; et la couche de matériel de précurseur de silice devient film poreux de silice. Plus tard, une couche protectrice, telle que parylénique, est déposée sur le film poreux sec de silice. L'épaisseur de la couche protectrice devrait être plus grande que les conditions de planarization de crête-vallée de la surface de substrat de silicium. En conséquence, un film poreux composé de silice, qui entretient pendant qu'une couche diélectrique dans une structure d'interconnexion, est formé. Ce film poreux composé de silice a une constante diélectrique relativement basse et peut résister à des dommages d'un procédé standard de CMP.
