A semiconductor laser device has a stem having a mounting surface, a first
semiconductor laser element directly or indirectly mounted onto the
mounting surface of the stem, the first semiconductor laser element having
an emission wavelength and a temperature dependence, and a second
semiconductor laser element disposed on top of the first semiconductor
laser element, the second semiconductor laser element having an emission
wavelength different from the emission wavelength of the first
semiconductor laser element and a temperature dependence lower than the
temperature dependence of the first semiconductor laser element.
Eine Halbleiterlaser Vorrichtung hat einen Stamm, eine Befestigungsfläche, ein erstes Halbleiterlaser Element direkt oder auf indirekt die Befestigungsfläche des Stammes, das erste Halbleiterlaser Element, das eine Emissionwellenlänge und eine Temperaturabhängigkeit haben, und ein zweites Halbleiterlaser Element, das niedriger auf das erste Halbleiterlaser Element, das zweite Halbleiterlaser Element abgeschaffen wird zu haben, das eine Emissionhat wellenlänge, die zu der Emissionwellenlänge des ersten Halbleiterlaser Elements und der Temperaturabhängigkeit als die Temperaturabhängigkeit des ersten Halbleiterlaser Elements unterschiedlich ist angebracht.
