A field effect transistor having a narrow channel and a method for forming
such a device. An upstanding nanopillar is formed from a substrate by
directional etching of the substrate preferentially masked by a
nanoparticle. A stack of planar layers of material is formed adjacent and
around the nanopillar. The bottom layer, adjacent the substantially planar
top substrate surface, comprises insulating material. A conductive gate
layer overlies the bottom layer while a second insulating layer overlies
the gate layer. The pillar material is etched to leave a nanopore into
which semiconductor material is deposited, forming an upstanding channel,
after insulating material has been deposited on the interior of the
nanopore. The source or drain may be a conductive substrate or a doped
region of the substrate formed immediately beneath the nanopillar with the
other electrode formed by doping the region adjacent the top of the
channel.
Транзистор влияния поля имея узкий канал и метод для формировать такое приспособление. Upstanding nanopillar сформировано от субстрата дирекционным вытравливанием субстрата преференциально замаскированного nanoparticle. Стог плоскостных слоев материала сформированные смежными и вокруг nanopillar. Нижний слой, смежный существенн плоскостная верхняя поверхность субстрата, состоит из изолируя материала. Проводной слой строба overlies нижний слой пока второй изолируя слой overlies слой строба. Материал штендера вытравлен для того чтобы выйти nanopore в материал полупроводника депозирован, формируя upstanding канал, после того как изолируя материал был депозирован на интерьере nanopore. Источником или стоком могут быть проводным субстратом или данной допинг зоной субстрата сформированного немедленно под nanopillar при другой электрод сформированный путем давать допинг зоне смежной верхняя часть канала.
