Performance of integrated circuit components via a multiple exposure technique

   
   

An initial layout of an integrated circuit device is separated into a set of definitions for use in a multiple exposure fabrication process. The separation begins with reading a portion of the initial layout and identifying one or more target features within the initial layout. Further, a first revised layout definition is created for a first mask and a second revised layout definition is created for a second mask. The first revised layout definition includes the target features inside the dark-field content. In addition, in one embodiment, the first revised layout definition includes clear areas around each target feature. The second layout definition includes one or more dark features inside the bright-field content. These dark features, when used in the multiple exposure fabrication process, will overlap the target features. The first and second masks may be binary masks, attenuated phase-shifting masks (PSMs) or a combination of a binary mask and an attenuated PSM.

Uma disposição inicial de um dispositivo do circuito integrado é separada em um jogo das definições para o uso em um processo múltiplo da fabricação da exposição. A separação começa com a leitura de uma parcela da disposição inicial e identificar um ou mais característica do alvo dentro da disposição inicial. Mais mais, uma primeira definição revisada da disposição é criada para uma primeira máscara e uma segunda definição revisada da disposição é criada para uma segunda máscara. A primeira definição revisada da disposição inclui as características do alvo dentro do índice do escuro-campo. Além, em uma incorporação, a primeira definição revisada da disposição inclui áreas desobstruídas em torno de cada característica do alvo. A segunda definição da disposição inclui um ou mais característica da obscuridade dentro do índice do brilhante-campo. Estas características escuras, quando usadas no processo múltiplo da fabricação da exposição, sobreporã0 as características do alvo. As primeiras e segundas máscaras podem ser máscaras binárias, máscaras fase-deslocando atenuadas (PSMs) ou uma combinação de uma máscara binária e de um PSM atenuado.

 
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