Semiconductor laser device

   
   

A multilayer film includes alternately laminated, a first film with a refractive index of n.sub.1 and a second film with a refractive index of n.sub.2, the multilayer film having the first film in contact with an end face of a semiconductor laser element. The first film and the second film satisfy relations expressed by the formulas n.sub.1 <(n.sub.c).sup.1/2 and n.sub.2 >(n.sub.c).sup.1/2. The reflectivity characteristic of the multilayer film has a 1 maximum at a wavelength .lambda..sub.1 in a wavelength region and minimums at wavelengths .lambda..sub.2 and .lambda..sub.3 on a shorter-wavelength side and a longer-wavelength side of the wavelength .lambda..sub.1, respectively.

Uma película multilayer inclui laminado alternadamente, uma primeira película com um índice refractive de n.sub.1 e uma segunda película com um índice refractive de n.sub.2, a película multilayer que tem a primeira película no contato com uma cara da extremidade de um elemento do laser do semicondutor. A primeira película e a segunda película satisfem às relações expressadas pelas fórmulas n.sub.1 (n.sub.c).sup.1/2. o reflectivity característico da película multilayer tem um 1 máximo em um lambda..sub.1 do wavelength em uma região do wavelength e em mínimos no lambda..sub.2 dos wavelengths e o lambda..sub.3 em um lado do curto-shorter-wavelength e em um lado do longo-longer-wavelength do lambda..sub.1 do wavelength, respectivamente.

 
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