A lithographic method of forming submicron polysilicon features on a
semiconductor substrate, including the steps of coating said substrate
with an anti-reflective coating (ARC) comprising two layers having matched
indices of refraction (n) and extinction coefficient (k) selected to
reduce reflection to less than 1% with 193 nm wavelength exposure. The ARC
is subsequently patterned to serve as an etch hardmask. Preferably the ARC
mask consists of a first layer of between 300 and 1500 angstroms of
silicon rich silicon nitride having an extinction coefficient of from 0.77
to 1.07, and a second layer of between 170 and 320 angstroms of silicon
oxynitride having an extinction coefficient of about 0.32.
Een lithografische methode om submicronpolysilicon eigenschappen op een halfgeleidersubstraat, met inbegrip van de stappen van deklaag te vormen zei substraat met een anti-weerspiegelende deklaag (het ARC) bestaand uit twee lagen die indexen van breking (n) hebben aangepast en de uitstervencoëfficiënt (k) selecteerde om bezinning te verminderen dan minder 1% met 193 van de golflengtecNm blootstelling. Het ARC is later gevormd om te dienen aangezien hardmask ets. Bij voorkeur bestaat het masker van het ARC uit een eerste laag tussen 300 en 1500 angstroms van nitride die van het silicium het rijke silicium een uitstervencoëfficiënt van van 0,77 hebben tot 1,07, en een tweede laag tussen 170 en 320 angstroms van siliciumoxynitride die een uitstervencoëfficiënt van ongeveer 0,32 hebben.
