A photodetector is integrated on a single semiconductor chip with bipolar
transistors including a high speed poly-emitter vertical NPN transistor.
The photodetector includes a silicon nitride layer serving as an
anti-reflective film. The silicon nitride layer and oxide layers on
opposite sides thereof insulate edges of a polysilicon emitter from the
underlying transistor regions, minimizing the parasitic capacitance
between the NPN transistor's emitter and achieving a high frequency
response. The method of manufacture is compatible with existing BiCMOS
process technology, the silicon nitride layer of the anti-reflective film
being formed over the photodetector as well as regions of the chip that
include the vertical NPN transistor and other circuit elements.
Ein Photodetektor wird auf einem einzelnen Halbleiterspan mit zweipoligen Transistoren einschließlich einen SchnellPoly-emitter vertikalen NPN Transistor integriert. Der Photodetektor schließt eine Silikonnitrid-Schichtumhüllung als Anti-reflektierender Film mit ein. Isolieren Silikonnitridschicht und die Oxidschichten auf gegenüberliegenden Seiten davon die Ränder eines polysilicon Emitters von den zugrundeliegenden Transistorregionen, setzen die parasitsche Kapazitanz zwischen dem Emitter des NPN Transistors herab und erzielen eine Hochfrequenzantwort. Die Methode der Herstellung ist mit bestehender BiCMOS Verfahrenstechnik, die Silikonnitridschicht des Anti-reflektierenden Filmes kompatibel, der über dem Photodetektor sowie Regionen des Spanes gebildet wird, die den vertikalen NPN Transistor und andere Schaltkreiselemente einschließen.
