An LDD structure is manufactured to have a desired aspect ratio of the
height to the width of a gate electrode. The gate electrode is first
deposited on a semiconductor substrate followed by ion implantation with
the gate electrode as a mask to form a pair of impurity regions. The gate
electrode is then anodic oxidized to form an oxide film enclosing the
electrode. With the oxide film as a mask, highly doped regions are formed
by ion implantation in order to define lightly doped regions between the
highly doped regions and the channel region located therebetween.
Een structuur LDD wordt vervaardigd om een gewenste aspectverhouding van de hoogte aan de breedte van een poortelektrode te hebben. De poortelektrode wordt eerst op een halfgeleidersubstraat gedeponeerd dat door ioneninplanting met de poortelektrode als masker wordt gevolgd een paar onzuiverheidsgebieden te vormen. De poortelektrode is dan anode die wordt geoxydeerd om een oxydefilm te vormen die de elektrode insluit. Met de oxydefilm als masker, worden de hoogst gesmeerde gebieden gevormd door ioneninplanting om licht gesmeerde gebieden tussen de hoogst gesmeerde gebieden te bepalen en het gevestigde kanaalgebied therebetween.
