A reinforced semiconductor interconnect structure, having the following
components:
(1) A first metal interconnect disposed in a first material, the first
metal interconnect having a line portion and at least one via portion, an
anode section and a cathode section, the via portion of the first metal
interconnect located in the anode section, the line portion of the first
metal interconnect having a top, bottom and terminus side, wherein at
least a part of the bottom side of the line portion of the first metal
interconnect in contact with the first dielectric; and
(2) a first reinforcement disposed in the first material, the first
reinforcement in contact with at least the bottom side of the first metal
interconnect, the first reinforcement comprising a second material, the
second material being electrically nonconductive; and wherein the second
material has a greater mechanical rigidity than the first material.
Eine verstärkte Halbleiterverknüpfung Struktur, die folgenden Bestandteile habend: (1) schuf eine erste Metallverknüpfung in einem ersten Material, in der ersten Metallverknüpfung, die eine Linie Teil und eine mindestens über Teil haben, in einem Anode Abschnitt und in einem Kathode Abschnitt ab, über Teil der ersten Metallverknüpfung, die im Anode Abschnitt gelegen ist, die Linie Teil der ersten Metallverknüpfung, die eine Oberseite hat, Unterseite und Terminusseite, worin mindestens ein Teil der unteren Seite der Linie Teil von der ersten Metallverknüpfung in Verbindung mit dem ersten Nichtleiter; und (2) schuf eine erste Verstärkung im ersten Material, die erste Verstärkung in Verbindung mit mindestens der unteren Seite der ersten Metallverknüpfung, die erste Verstärkung ab, die ein zweites Material, das zweite Material enthält, das elektrisch nicht leitfähig ist; und worin das zweite Material eine grössere mechanische Starrheit als das erste Material hat.
