A magnetic memory device capable of achieving high reliability and superior
operation characteristics of tunneling magneto-resistive (TMR) elements is
provided. This magnetic memory device includes a semiconductor substrate,
a transistor which is formed above the semiconductor substrate, and a TMR
element which is formed on or above an interlayer dielectric film that
covers the transistor of the substrate. The device also includes a first
wiring line which is buried in the interlayer dielectric film and
connected to a source/drain diffusion layer of the transistor, a second
wiring line which is buried under the TMR element while overlying the
first wiring line within the interlayer dielectric film and which is used
to apply a current-created magnetic field to the TMR element during
writing, and a third wiring line connected to an upper surface of the TMR
element and provided to cross the second wiring line. The third wiring
line is for applying a current magnetic field to the TMR element during
writing and also for causing a cell current to flow during reading. The
second wiring line is formed by patterning techniques so that its both
edges are placed outside of a pattern of the TMR element.
Um dispositivo de memória magnético capaz de conseguir a confiabilidade elevada e características superiores da operação de tunneling os elementos (TMR) magneto-resistive é fornecido. Este dispositivo de memória magnético inclui uma carcaça do semicondutor, um transistor que seja dado forma acima da carcaça do semicondutor, e um elemento de TMR em que seja dado forma ou acima de uma película dieléctrica do interlayer que cubra o transistor da carcaça. O dispositivo inclui também uma primeira linha da fiação que seja enterrada na película dieléctrica do interlayer e conectado a uma camada da difusão de source/drain do transistor, uma segunda linha da fiação que seja enterrada sob o elemento de TMR ao overlying a primeira linha wiring dentro da película dieléctrica do interlayer e que seja usado aplicar um campo magnético atual-criado ao elemento de TMR durante a escrita, e uma terceira linha da fiação conectada a uma superfície superior do elemento de TMR e desde que para cruzar a segunda fiação alinhe. A terceira linha da fiação é aplicando um campo magnético atual ao elemento de TMR durante a escrita e também fazendo com que uma corrente da pilha flua durante a leitura. A segunda linha da fiação é dada forma modelando técnicas de modo que suas ambas as bordas sejam colocadas fora de um teste padrão do elemento de TMR.
