A semiconductor structure includes a substrate and a semiconductor devices
secured to the substrate. A stabilizing member is secured to the
semiconductor device, and has a coefficient of thermal expansion which is
substantially the same as the coefficient of thermal expansion of the
substrate. The bending stiffness of the substrate is substantially the
same as the bending stiffness of the stabilizing member, wherein:
bending stiffness=Et.sup.3, with E=Young's modulus, and t=thickness.
In another embodiment, a stabilizing member is secured to the substrate,
and has a coefficient of thermal expansion which is substantially the same
as the coefficient of thermal expansion of the die. The bending stiffness
of the die is substantially the same as the bending stiffness of the
stabilizing member, with bending stiffness defined as above.
Une structure de semi-conducteur inclut un substrat et des dispositifs de semi-conducteur fixés au substrat. Un membre stabilisant est fixé au dispositif de semi-conducteur, et a un coefficient de dilatation thermique qui est sensiblement identique que le coefficient de dilatation thermique du substrat. La rigidité à la flexion du substrat est sensiblement identique que la rigidité à la flexion du membre stabilisant, où : stiffness=Et.sup.3 de recourbement, avec le module d'E=Young, et t=thickness. Dans une autre incorporation, un membre stabilisant est fixé au substrat, et a un coefficient de dilatation thermique qui est sensiblement identique que le coefficient de dilatation thermique de la matrice. La rigidité à la flexion de la matrice est sensiblement identique que la rigidité à la flexion du membre stabilisant, avec la rigidité à la flexion définie comme ci-dessus.
