A method enhances a process and profile simulator algorithm to predict the
surface profile that a given plasma process will create. The method first
tracks an energetic particle and then records the ion fluxes produced by
the energetic particle. A local etch rate and a local deposition rate are
computed from neutral fluxes, surface chemical coverage, and surface
material type that are solved simultaneously.
Eine Methode erhöht einen Prozess- und Profilsimulatoralgorithmus, um das Oberflächenprofil vorauszusagen, das ein gegebener Plasmaprozeß verursacht. Die Methode erste spürt einen energischen Partikel auf und notiert dann die Ionenflüsse, die durch den energischen Partikel produziert werden. Eine lokale Ätzungrate und eine lokale Absetzungrate wird von den Nullflüssen, von der chemischen Oberflächendeckung und von der materiellen Oberflächenart berechnet, die gleichzeitig gelöst werden.
