Method for non-destructive readout and apparatus for use with the method

   
   

A method for determining a logic state of a memory cell in a data storage device, wherein the cell stores data in the form of an electrical polarization state in a capacitor containing a polarizable material, includes applying a time-dependent small signal voltage over the capacitor, and recording at least one component of a generated small-signal current response over said capacitor. Correlation analysis is performed on the response based on a reference signal derived from the time dependent small signal voltage to determine the logic state of the memory cell. An apparatus performing a phase comparison according to this method includes a phase detector connected with a memory cell for detecting at least one phase in the response signal. The apparatus is configured to determine the logic state of the memory cell by comparing the detected phase and a phase reference signal.

Μια μέθοδος για μια κατάσταση λογικής ενός κυττάρου μνήμης σε μια συσκευή αποθήκευσης στοιχείων, όπου το κύτταρο αποθηκεύει τα στοιχεία υπό μορφή ηλεκτρικού κράτους πόλωσης σε έναν πυκνωτή που περιέχει ένα πολώσιμο υλικό, περιλαμβάνει την εφαρμογή μιας χρονικά εξαρτημένης μικρής τάσης σημάτων πέρα από τον πυκνωτή, και την καταγραφή τουλάχιστον ενός συστατικού μιας παραγμένης τρέχουσας απάντησης μικρός-σημάτων πέρα από τον εν λόγω πυκνωτή. Η ανάλυση συσχετισμού εκτελείται στην απάντηση βασισμένη σε ένα σήμα αναφοράς που προέρχεται από την τάση χρονικών εξαρτώμενη μικρή σημάτων για να καθορίσει την κατάσταση λογικής του κυττάρου μνήμης. Μια συσκευή που εκτελεί μια σύγκριση φάσης σύμφωνα με αυτήν την μέθοδο περιλαμβάνει έναν ανιχνευτή φάσης που συνδέεται με ένα κύτταρο μνήμης για την ανίχνευση τουλάχιστον μιας φάσης στο σήμα απάντησης. Η συσκευή διαμορφώνεται για να καθορίσει την κατάσταση λογικής του κυττάρου μνήμης με τη σύγκριση της ανιχνευμένης φάσης και ενός σήματος αναφοράς φάσης.

 
Web www.patentalert.com

< Remote control device with illumination

< FeRAM sidewall diffusion barrier etch

> Temperature compensated RRAM circuit

> Method and apparatus for passively calculating latency for a network appliance

~ 00137