A ferromagnetic tunnel junction element to produce a high ratio of
magnetoresistance at finite voltages including the element operating
voltage, and a device provided therewith such as tunnel magnetoresistive
head, magnetic head slider, and magnetic disk drive. The ferromagnetic
tunnel junction element has a laminate structure of ferromagnetic
layer/metallic layer/insulating layer/metallic layer/ferromagnetic layer.
(The metallic layer is one atom thick or two atoms thick.) The metallic
layer and insulating layer have the crystalline regularity. The element is
capable of detecting magnetism with its high magnetoresistivity, about
three times that of conventional elements, at finite voltages. This
element makes it possible to realize a highly sensitive magnetoresistive
head. The magnetic head is used for the magnetic head slider which
realizes a magnetic disk drive capable of reproducing magnetic information
with high sensitivity.
Un élément ferromagnétique de jonction de tunnel pour produire un rapport élevé de la magnétorésistance aux tensions finies comprenant la tension de fonctionnement d'élément, et un dispositif ont fourni en conséquence comme la tête magnétorésistante de tunnel, le glisseur principal magnétique, et la commande de disque magnétique. L'élément ferromagnétique de jonction de tunnel a une structure en stratifié d'une couche ferromagnétique de layer/metallic layer/insulating layer/metallic layer/ferromagnetic. (la couche métallique est un atome profondément ou deux atomes profondément.) La couche métallique et la couche de isolation ont la régularité cristalline. L'élément est capable de détecter le magnétisme avec son haut magnetoresistivity, environ trois fois cela des éléments conventionnels, aux tensions finies. Cet élément permet pour réaliser une tête magnétorésistante extrêmement sensible. La tête magnétique est utilisée pour le glisseur principal magnétique qui réalise une commande de disque magnétique capable de reproduire l'information magnétique avec la sensibilité élevée.
