Disclosed is an apparatus and a method for growing single crystals of
materials such as silicon carbide through axial gradient transport. A
source of the material (10) is placed at one end of a reaction chamber (2)
opposite a seed crystal (13). Separate heating elements (16 and 60; 20 and
62) are positioned at opposite ends of the reaction chamber. The reaction
chamber (2) is placed in a growth chamber (26). By appropriately
controlling the pressure in the growth chamber (26) and the temperature of
the heating elements (16, 20), including the temperature differential
therebetween, a uniaxial temperature gradient is generated in the reaction
chamber (2). In this manner, planar isotherms are generated and a high
quality crystal can be grown through a physical vapor transport process.
Onthuld worden een apparaat en een methode om enige kristallen van materialen zoals siliciumcarbide door asgradiëntvervoer te kweken. Een bron van materiaal (10) wordt geplaatst aan de ene kant van een reactiekamer (2) tegenover een zaadkristal (13). worden de Afzonderlijke het verwarmen elementen (16 en 60;,20 en 62) geplaatst op tegenovergestelde einden van de reactiekamer. Reactiekamer (2) wordt geplaatst in een de groeikamer (26). Door de druk in de groeikamer (26) en de temperatuur van de het verwarmen elementen geschikt te controleren (16, 20), met inbegrip van het temperatuurverschil therebetween, wordt een éénassige temperatuurgradiënt geproduceerd in reactiekamer (2). Op deze wijze, worden de vlakisothermen geproduceerd en een kristal van uitstekende kwaliteit kan door een fysiek proces van het dampvervoer worden gekweekt.
