The invention relates to a vertical transistor and an oxidation process
that achieves a substantially curvilinear recess bottom. The recess serves
as the gate receptacle that may facilitate a more uniform gate oxide
layer. One embodiment relates to a storage cell that is disposed in the
recess along with an electrode. Another embodiment relates to a system
that includes the vertical transistor or the vertical storage cell.
L'invenzione riguarda un transistore verticale e un processo di ossidazione che realizza una parte inferiore sostanzialmente curvilinea di incavo. L'incavo serve da presa a parete del cancello che può facilitare un più strato dell'ossido del cancello dell'uniforme. Un incorporamento si riferisce ad una cellula di immagazzinaggio che è disposta di nell'incavo con un elettrodo. Un altro incorporamento si riferisce ad un sistema che include il transistore verticale o la cellula verticale di immagazzinaggio.
