A resin material having a small relative dielectric constant is used as a
layer insulation film. The resin material has a flat surface. A black
matrix or masking film for thin film transistors is formed thereon using a
metal material. Such a configuration prevents the problem of a capacity
generated between the masking film and a thin film transistor.
Un material de la resina que tiene una constante dieléctrica relativa pequeña se utiliza como película del aislamiento de la capa. El material de la resina tiene una superficie plana. Una matriz negra o una película que enmascara para los transistores de la película fina se forma sobre eso usando un material del metal. Tal configuración previene el problema de una capacidad generada entre la película que enmascara y un transistor de la película fina.
