A silicon-germanium hetero bipolar transistor comprising a silicon
collector layer, a boron-doped silicon-germanium base layer, a silicon
emitter layer and an emitter contact area. The transistor is fabricated
using an epitaxy process on a surface of pure silicon. An electrically
inert material is incorporated into the epitaxial layers in order to link
the defects in the semiconductor structure and to reduce the outdiffusion
of the dopant. Thus, a transistor for high-frequency applications can be
fabricated in two ways: to increase the dopant dose of the base region or
to reduce the thickness of the base layer. In particular, an implantation
or doped region having a T-shaped cross section profile is provided
between the emitter layer and the emitter contact area.
Um transistor bipolar do hetero do silicone-germânio que compreende uma camada do coletor do silicone, uma camada baixa boro-boron-doped do silicone-germânio, uma camada do emissor do silicone e uma área de contato do emissor. O transistor é fabricado usando um processo do epitaxy em uma superfície do silicone puro. Um material eletricamente inerte é incorporado nas camadas epitaxial a fim ligar os defeitos na estrutura do semicondutor e reduzir o outdiffusion do dopant. Assim, um transistor para aplicações de alta freqüência pode ser fabricado em duas maneiras: para aumentar o dose do dopant da região baixa ou para reduzir a espessura da camada baixa. No detalhe, um implantation ou uma região doped que têm um perfil T-dado forma da seção transversal são fornecidos entre a camada do emissor e a área de contato do emissor.
