Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)

   
   

The present invention is a semiconductor structure for light emitting devices that can emit in the red to ultraviolet portion of the electromagnetic spectrum. The semiconductor structure includes a Group III nitride active layer positioned between a first n-type Group III nitride cladding layer and a second n-type Group III nitride cladding layer, the respective bandgaps of the first and second n-type cladding layers being greater than the bandgap of the active layer. The semiconductor structure further includes a p-type Group III nitride layer, which is positioned in the semiconductor structure such that the second n-type cladding layer is between the p-type layer and the active layer.

La presente invenzione è una struttura a semiconduttore per luce che emette i dispositivi che possono emettere nel colore rosso alla parte ultravioletta dello spettro elettromagnetico. La struttura a semiconduttore include uno strato attivo del nitruro del gruppo III posizionato fra un primo n-tipo strato del rivestimento del nitruro del gruppo III e un secondo n-tipo lo strato del rivestimento del nitruro del gruppo III, i bandgaps rispettivi del primo e secondo n-tipo strati del rivestimento che sono più grandi del bandgap dello strato attivo. La struttura a semiconduttore ulteriore include un p-tipo strato del nitruro del gruppo III, che è posizionato nella struttura a semiconduttore tali che il secondo n-tipo strato del rivestimento è fra il p-tipo strato e lo strato attivo.

 
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< Imaging forming apparatus

< Processing and manufacturing methods enabled using non-stoichiometric nanomaterials

> Detection lamp equipped with light-emitting diode

> Nitride-based semiconductor element

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