A monolithically integrated, electromechanical microwave switch, capable of
handling signals from DC to millimeter-wave frequencies, and an integrated
electromechanical tunable capacitor are described. Both electromechanical
devices include movable beams actuated either by thermo-mechanical or by
electrostatic forces. The devices are fabricated directly on finished
silicon-based integrated circuit wafers, such as CMOS, BiCMOS or bipolar
wafers. The movable beams are formed by selectively removing the
supporting silicon underneath the thin films available in a silicon-based
integrated circuit technology, which incorporates at least one polysilicon
layer and two metallization layers. A cavity and a thick, low-loss
metallization are used to form an electrode above the movable beam. A
thick mechanical support layer is formed on regions where the cavity is
located, or substrate is bulk-micro-machined, i.e., etched.
Um interruptor monolìtica integrado, eletromecânico da microonda, capaz da manipulação sinaliza da C.C. às freqüências do millimeter-wave, e um capacitor ajustável eletromecânico integrado é descrito. Ambos os dispositivos eletromecânicos incluem feixes móveis atuaram por forças thermo-mechanical ou eletrostáticas. Os dispositivos são fabricados diretamente em wafers silicone-baseados terminados do circuito integrado, tais como o CMOS, BiCMOS ou wafers bipolares. Os feixes móveis são dados forma seletivamente removendo o silicone suportando debaixo das películas finas disponíveis em uma tecnologia silicone-baseada do circuito integrado, que incorpore ao menos uma camada do polysilicon e duas camadas do metallization. Uma cavidade e um metallization grosso, low-loss são usados dar forma a um elétrodo acima do feixe móvel. Uma camada mecânica grossa da sustentação é dada forma nas regiões onde a cavidade é encontrada, ou a carcaça volume-micro-é feita à máquina, isto é, gravou.
