Method for joining conductive structures and an electrical conductive article

   
   

Embodiments of the invention include a method comprising disposing a thin metallic layer having a low melting temperature between one end of a conductive post on a substrate and a conducting structure on an opposing substrate. Heated platens in contact with the substrates can apply pressure and heat to the thin metallic layer and cause it to be entirely consumed and subsequently transformed into a bonding layer having a melting temperature higher than the melting temperature of the original thin metallic layer. Prior to, during, or after the conductive post is bonded to the conducting structure, the region around the conductive post and between the substrates may be filled with a dielectric material, such as polyimide.

Verkörperungen der Erfindung schließen eine Methode ein, die eine dünne metallische Schicht abschaffend enthält, die, eine niedrige schmelzende Temperatur zwischen einem Ende eines leitenden Pfostens auf einem Substrat und einer Leitstruktur auf einem entgegensetzenden Substrat hat. Geheizte Vorlagengläser in Verbindung mit den Substraten können Druck und Hitze an der dünnen metallischen Schicht anwenden und sie veranlassen, in eine Abbindenschicht völlig verbraucht zu werden und nachher stark umgewandelt zu werden, die eine schmelzende Temperatur als die schmelzende Temperatur der ursprünglichen dünnen metallischen Schicht hat. Vor, während oder, nachdem der leitende Pfosten zur Leitstruktur abgebunden ist, kann die Region um den leitenden Pfosten und zwischen den Substraten mit einem dielektrischen Material, wie polyimide gefüllt werden.

 
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< Process for growing a magnesium oxide film on a silicon (100) substrate coated with a cubic silicon carbide butter layer

< Conductively doped strontium titanate barrier intermediate a silicon underlayer and an epitaxial metal oxide film

> Method of making a composite substrate

> Method of depositing in situ a solid film on a substrate

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