In a method for producing a bonding wafer by the hydrogen ion delamination
method comprising at least a step of bonding a base wafer and a bond wafer
having a micro bubble layer formed by gas ion implantation and a step of
delaminating them at the micro bubble layer as a border, a peripheral
portion of a thin film formed on the base wafer is removed after the
delamination step. Preferably, a region of 1-5 mm from the peripheral end
of the base wafer is removed. In the production of a bonding wafer by the
hydrogen ion delamination method, there can be provided a bonding wafer
free from problems such as generation of particles from peripheral portion
of the wafer and generation of cracks in the SOI layer.
In un metodo per produrre una cialda di bonding con il metodo di delaminazione dello ione di idrogeno che contiene almeno un punto il legame una cialda bassa e della cialda schiava che hanno un micro strato della bolla costituito da impianto di ione del gas e un punto di delaminating al micro strato della bolla come bordo, una parte periferica di una pellicola sottile formata sulla cialda bassa è rimossa dopo il punto di delaminazione. Preferibilmente, una regione di 1-5 millimetri dall'estremità periferica della cialda bassa è rimossa. Nella produzione di una cialda di bonding con il metodo di delaminazione dello ione di idrogeno, là può essere fornito una cialda di bonding liberamente dai problemi quali la generazione delle particelle dalla parte periferica della cialda e la generazione delle crepe nello strato di SOI.
