A magnetic memory cell and method for improving the write selectivity of
memory cells in an MRAM array is provided herein. In particular, the
magnetic memory cell may have a magnetic layer with a shape that is
substantially asymmetrical about at least one axis of the magnetic layer.
Such asymmetry may advantageously reduce and/or eliminate the effects of
variations in the fabrication process. In addition, an asymmetrical memory
shape may induce a relatively consistent equilibrium vector state,
allowing a single switching mechanism to set the magnetic direction of the
cell. Furthermore, a method is provided for programming a memory cell, in
which the amount of current needed during a writing procedure is
advantageously reduced relative to the amount of current needed in
conventional writing procedures. In this manner, the asymmetrical memory
cell and method produces a storage medium having overall power
requirements less than those associated with symmetrical memory cells.
Una célula y un método magnéticos de memoria para mejorar la selectividad del escribir de las células de memoria en un arsenal de MRAM se proporciona adjunto. En detalle, la célula de memoria magnética puede tener una capa magnética con una forma que sea alrededor por lo menos un eje substancialmente asimétrico de la capa magnética. Tal asimetría puede reducir y/o eliminar ventajoso los efectos de variaciones en el proceso de la fabricación. Además, una forma asimétrica de la memoria puede inducir un estado relativamente constante del vector del equilibrio, permitiendo que un solo mecanismo de la conmutación fije la dirección magnética de la célula. Además, un método se proporciona para programar una célula de memoria, en la cual la cantidad de corriente necesitada durante un procedimiento de la escritura se reduce ventajoso concerniente a la cantidad de corriente necesitada en procedimientos convencionales de la escritura. De este modo, la célula y el método asimétricos de memoria produce un medio de almacenaje que tiene requisitos de energía totales menos que ésos asociados a las células de memoria simétricas.
