Dual-purpose anti-reflective coating and spacer for flash memory and other dual gate technologies and method of forming

   
   

A dual gate semiconductor device, such as a flash memory semiconductor device, whose plurality of dual gate sidewall spacer structure is formed by a first and second anti-reflection fabrication process. The sidewall spacers of the dual transistor gate structures in the core memory region are left coated with the second anti-reflective coating material, after being used for gate patterning, to act as sidewall spacers for use in subsequent ion implant and salicidation fabrication steps. The second anti-reflective coating material is selected from a material group such as silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (Si.sub.3 N.sub.4), and silicon germanium (SiGe), or other anti-reflective coating material having optical properties and that are compatible with the subsequent implant and salicidation steps.

Un dispositivo doppio a semiconduttore del cancello, quale un dispositivo istantaneo a semiconduttore di memoria, di cui la pluralità di struttura doppia del distanziatore del muro laterale del cancello è costituita da un primo e secondo processo di montaggio di antiriflessione. I distanziatori del muro laterale delle strutture doppie del cancello del transistore nella regione di memoria di nucleo sono lasciati rivestiti con il secondo materiale ricoprente anti-riflettente, dopo usando per il cancello che modella, per fungere da distanziatori del muro laterale per uso ai punti successivi di montaggio del implant e di salicidation dello ione. Il secondo materiale ricoprente anti-riflettente è scelto da un gruppo materiale quali il oxynitride del silicone (SiON), il nitruro di silicio (Si.sub.3 N.sub.4) ed il germanio del silicone (SiGe), o l'altro materiale ricoprente anti-riflettente che ha proprietà ottiche e quello è compatibile con i punti successivi di salicidation e del implant.

 
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< Semiconductor memory apparatus

< Semiconductor device having photo diode with sensitivity to light of different wavelengths

> Semiconductor memory device having large storage capacity and minimal step height between memory cell and peripheral circuits

> Method of fabricating a semiconductor device having a non-volatile semiconductor memory and a capacitor

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