A MOSgated device is resistant to both high radiation and SEE environments.
The active area of the device is formed of trench devices having a thin
gate dielectric on the trench walls and a thicker dielectric on the trench
bottoms over the device depletion region. Termination rings formed of
ring-shaped trenches containing floating polysilicon plugs surrounds and
terminates the device active area.
Un dispositif de MOSgated est résistant au rayonnement élevé et VOIT des environnements. Le secteur actif du dispositif est constitué des dispositifs de fossé ayant un diélectrique mince de porte sur les murs de fossé et un diélectrique plus épais sur les fonds de fossé au-dessus de la région d'épuisement de dispositif. Les anneaux d'arrêt constitués des fossés de forme annulaire contenant les prises flottantes de polysilicon entoure et termine le secteur actif de dispositif.
