A wavelength-locked, integrated optical signal source structure using a
semiconductor laser device is disclosed. The optical source structure has
a semiconductor laser formed on a semiconductor substrate, and an etched
portion coupled with an output end of the semiconductor laser. The etched
portion is configured to pass on a first amount of light beam radiated by
the semiconductor laser, and to reflect a second amount of light beam by a
given reflection angle. A multiple microcavity is formed in a position
spaced apart from the etched portion, and the first amount of light beam
is incident upon the multiple microcavity. The optical source structure
has a first optical detector for detecting the first amount of light beam
passing through the multiple microcavity, and a second optical detector
for detecting the second amount of light beam reflected by a slanted,
reflecting surface portion of the etched portion. The relative change in
the light intensity in the first and second optical detectors is measured
out to maintain a constant optical wavelength.
Eine Wellenlänge-verschlossene, integrierte struktur des optischen Signals Quell, dieeine Halbleiterlaser Vorrichtung verwendet, wird freigegeben. Die optische Quellstruktur hat einen Halbleiterlaser, der auf einem Halbleitersubstrat gebildet werden, und einen geätzten Teil, der mit einem Ausgang Ende des Halbleiterlasers verbunden wird. Der geätzte Teil wird, um eine erste Menge des Lichtstrahls ausgestrahlt durch den Halbleiterlaser weiterzuleiten, zusammengebaut und eine zweite Menge des Lichtstrahls zu reflektieren durch einen gegebenen Reflexion Winkel. Ein mehrfaches microcavity wird in einer Position gebildet, die abgesehen von dem geätzten Teil gesperrt wird, und die erste Menge des Lichtstrahls ist Ereignis nach dem mehrfachen microcavity. Die optische Quellstruktur hat einen ersten optischen Detektor für das Ermitteln der ersten Menge des Lichtstrahls, durch das mehrfache microcavity zu überschreiten, und einen zweiten optischen Detektor für das Ermitteln der zweiten Menge des Lichtstrahls reflektiert durch einen schräg gelegenen, reflektierenden Oberflächenteil des geätzten Teils. Die relative Änderung in der Lichtintensität in den ersten und zweiten optischen Detektoren wird heraus gemessen, um eine konstante optische Wellenlänge beizubehalten.
