A method for forming a magnetoresistive (MR) sensor element. There is first
provided a substrate. There is then formed over the substrate a seed
layer. There is then formed contacting a pair of opposite ends of the seed
layer a pair of patterned conductor lead layer structures. There is then
etched, while employing an ion etch method, the seed layer and the pair of
patterned conductor lead layer structures to form an ion etched seed layer
and a pair of ion etched patterned conductor lead layer structures.
Finally, there is then formed upon the ion etched seed layer and the pair
of ion etched patterned conductor lead layers structures a
magnetoresistive (MR) layered structure. Within the magnetoresistive (MR)
sensor element, the pair of patterned conductor lead layer structures may
be formed within a pair of recesses within an ion etch recessed dielectric
isolation layer.
Un método para formar un elemento magnetoresistente del sensor (de SR.). Primero se proporciona un substrato. Entonces se forma sobre el substrato a la capa de la semilla. Entonces se forma que entra en contacto con un par de los finales opuestos de la capa de la semilla que un par de la capa modelada del plomo del conductor estructura. Entonces se graba al agua fuerte, mientras que emplea un método del grabado de pistas del ion, la capa de la semilla y el par de estructuras modeladas de la capa del plomo del conductor para formar una capa grabada al agua fuerte ion de la semilla y un par del conductor modelado grabado al agua fuerte ion conducen las estructuras de la capa. Finalmente, entonces se forma sobre la capa grabada al agua fuerte ion de la semilla y el par de capas modeladas grabadas al agua fuerte ion del plomo del conductor estructura (SR.) una estructura acodada magnetoresistente. Dentro del elemento magnetoresistente del sensor (de SR.), el par de estructuras modeladas de la capa del plomo del conductor se puede formar dentro de un par de hendiduras dentro de una capa dieléctrica ahuecada grabado de pistas del aislamiento del ion.
