In the present invention, ferroelectric memory devices using a
ferroelectric planarization layer and methods of fabricating the same are
disclosed. According to the method of the present invention, a conductive
layer is formed on an interlayer insulation layer having a contact plug
and patterned to form capacitor bottom electrode patterns. A ferroelectric
layer for planarization is formed to fill a space between the bottom
electrode patterns, and then another ferroelectric layer for a capacitor
is formed on the bottom electrode pattern and the ferroelectric layer for
planarization.
En la actual invención, se divulgan los dispositivos de memoria ferroelectric usando una capa ferroelectric del planarization y métodos de fabricar igual. Acordando al método de la actual invención, una capa conductora se forma en una capa del aislamiento de la capa intermediaria que tiene un enchufe del contacto y está modelada para formar patrones del electrodo de tierra del condensador. Una capa ferroelectric para el planarization se forma para llenar un espacio entre los patrones del electrodo de tierra, y entonces otra capa ferroelectric para un condensador se forma en el patrón del electrodo de tierra y la capa ferroelectric para el planarization.
