A pair of memory elements form a unit cell and these elements are
magnetized in opposite directions. At the time of read a voltage of V1 is
applied to a word line WL0 and a voltage of V2 is applied to the word
line/WL0. Further a specific bit line is connected to a read circuit 22
and the bit line is virtually grounded to Vg=(V1+V2)/2. Therefore, current
Is passed through the bit line is as follows:
Is=Vs.multidot.(Rb-Ra)/(Ra.multidot.Rb), wherein the resistance value of
the memory element 1a is Ra, the resistance value of the memory element 1b
is Rb. Thus, if a direction of the current is detected by the read
circuit, information written in the unit cell can be read. Thus, a
non-volatile magnetic memory whose cell configuration is simple, and which
can be integrated with high density and has a read circuit having a small
surface area and low power consumption, can be obtained.
Ένα ζευγάρι των στοιχείων μνήμης διαμορφώνει ένα κύτταρο μονάδων και αυτά τα στοιχεία είναι μαγνητισμένα στις αντίθετες κατευθύνσεις. Κατά την διάρκεια διαβάστε ότι μια τάση V1 εφαρμόζεται σε μια γραμμή λέξης WL0 και μια τάση V2 εφαρμόζεται στη γραμμή λέξης/WL0. περαιτέρω μια συγκεκριμένη γραμμή κομματιών συνδέεται με ένα διαβασμένο κύκλωμα 22 και η γραμμή κομματιών στηρίζεται ουσιαστικά σε Vg=(V1+V2)/2. Επομένως, το ρεύμα περνούν μέσω της γραμμής κομματιών είναι το ακόλουθο: Is=Vs.multidot. (ρψ- Ra)/($l*Ra.multidot.Rb), όπου η αξία αντίστασης του στοιχείου μνήμης 1a είναι RA, η αξία αντίστασης του στοιχείου μνήμης 1b είναι rb. Κατά συνέπεια, εάν μια κατεύθυνση του ρεύματος ανιχνεύεται από το διαβασμένο κύκλωμα, οι πληροφορίες που γράφονται στο κύτταρο μονάδων μπορούν να διαβαστούν. Κατά συνέπεια, μια αμετάβλητη μαγνητική μνήμη η της οποίας διαμόρφωση κυττάρων είναι απλή, και που μπορεί να ενσωματωθεί με στην υψηλή πυκνότητα και έχει ένα διαβασμένο κύκλωμα που έχει μια μικρή περιοχή επιφάνειας και μια μικρή κατανάλωση ισχύος, μπορεί να ληφθεί.
