A threshold voltage change and degradation of the drain saturation current
over a period of time of a MOS transistor are prevented by providing a
permeable insulating film that serves as an inter-layer etching stopper
layer on the surface of a plug, and an inter-layer insulating film that
can be made from a low dielectric constant organic insulating film.
Een verandering van het drempelvoltage en een degradatie van de stroom van de afvoerkanaalverzadiging over een periode van tijd van een MOS transistor worden verhinderd door een permeabele isolerende film die als de kurklaag van de tussenlaagets op de oppervlakte van een stop dienen, en een tussenlaag isolerende film te verstrekken die van een lage diëlektrische constante organische isolerende film kunnen worden gemaakt.
