A semiconductor device is designed by disposing a plurality of cells. The
semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1,
transistors formed in the semiconductor substrate, a first wiring pattern
100 and a second wiring pattern 200 formed respectively in a first cell
and a second cell disposed adjacent to each other in a X direction in a
wiring layer disposed over the semiconductor substrate in layer, the first
wiring pattern 100 and the second wiring pattern 200 having portions
extending in parallel with each other in a Y direction perpendicular to
the X direction, and an interlayer dielectric layer formed as a lower
layer of the wiring layer, the interlayer dielectric layer having openings
formed at locations corresponding to a position 11 or 12 of the first
wiring pattern and a position 22 or 21 of the second wiring pattern,
respectively.
Прибора на полупроводниках конструирован путем размещать множественность клеток. Прибора на полупроводниках оборудован при субстрат 1 полупроводника, транзисторы сформированные в субстрате полупроводника, первая картина 100 проводки и вторая картина 200 проводки сформированная соответственно в первой клетке и второй клетке размещанных за собой в направлении х в слое проводки размещанном над субстратом полупроводника в слое, первая картина 100 проводки и вторая картина 200 проводки имея части удлинить in parallel with в перпендикуляре направления ы к направлению х, и слой сформированный как более низкий слой слоя проводки, слой прослойка диэлектрический прослойка диэлектрический имея отверстия сформированные на положениях соответствуя к положению 11 или 12 первой проводки сделайте по образцу и положение 22 или 21 из второй картины проводки, соответственно.