A process is described for transferring a photoresist pattern into a
substrate. In one embodiment a stack comprised of a top photoresist layer,
a middle ARC layer, and a bottom hardmask is formed over a gate electrode
layer. A line in the photoresist pattern is anisotropically transferred
through the ARC and hardmask. Then an isotropic etch to trim the linewidth
by 0 to 50 nm per edge is performed simultaneously on the photoresist, ARC
and hardmask. This method minimizes the amount of line end shortening to
less than three times the dimension trimmed from one line edge. Since a
majority of the photoresist layer is retained, the starting photoresist
thickness can be reduced by 1000 Angstroms or more to increase process
window. The pattern is then etched through the underlying layer to form a
gate electrode. The method can also be used to form STI features in a
substrate.
Un processo è descritto per il trasferimento del modello del photoresist in un substrato. In un incorporamento un la pila formata da uno strato di photoresist superiore, da uno strato centrale dell'ARCO e da un hardmask inferiore è formato sopra uno strato dell'elettrodo di cancello. Una linea nel modello del photoresist anisotropically è trasferita attraverso l'ARCO ed il hardmask. Allora incissione all'acquaforte isotropa per assettare il linewidth da 0 a 50 nm per il bordo è effettuata simultaneamente sul photoresist, sull'ARCO e sul hardmask. Questo metodo minimizza la quantità di linea estremità che si riduce più meno di tre volte la dimensione ha assettato da una linea bordo. Poiché una maggioranza dello strato di photoresist è mantenuta, lo spessore cominciante del photoresist può essere ridotto da 1000 angstroms o da più alla finestra di processo di aumento. Il modello allora è inciso con lo strato di fondo per formare un elettrodo di cancello. Il metodo può anche essere usato per formare le caratteristiche di STI in un substrato.
