Variations in the size of a linear pattern resulting from difference in
mask pattern layout are prevented by setting the perimeter of the linear
pattern per unit area in a specified range irrespective of the type of a
semiconductor integrated circuit device or by adjusting a process
condition in accordance with type-to-type difference in the perimeter of
the linear pattern per unit area.
De variaties in de grootte van een lineair patroon dat uit verschil in de lay-out van het maskerpatroon voortvloeit worden verhinderd door de perimeter van het lineaire patroon per eenheidsgebied in een gespecificeerde waaier ongeacht het type van een halfgeleiderapparaat van geïntegreerde schakelingen te plaatsen of door een procesvoorwaarde overeenkomstig type-aan-type verschil in de perimeter van het lineaire patroon per eenheidsgebied aan te passen.
