Reflective ohmic contacts for n-type silicon carbide include a layer
consisting essentially of nickel on the silicon carbide. The layer
consisting essentially of nickel is configured to provide an ohmic contact
to the silicon carbide, and to allow transmission therethrough of optical
radiation that emerges from the silicon carbide. A reflector layer is on
the layer consisting essentially of nickel, opposite the silicon carbide.
A barrier layer is on the reflector layer opposite the layer consisting
essentially of nickel, and a bonding layer is on the barrier layer
opposite the reflector layer. It has been found that the layer consisting
essentially of nickel and the reflector layer thereon can provide a
reflective ohmic contact for silicon carbide that can have low ohmic
losses and/or high reflectivity.
Os contatos ôhmicos reflexivos para o n-tipo carbide do silicone incluem uma camada que consiste essencialmente niquelar no carbide do silicone. A camada que consiste essencialmente niquelar é configurarada para fornecer um contato ôhmico ao carbide do silicone, e para permitir therethrough a transmissão da radiação ótica que emerge do carbide do silicone. Uma camada do refletor está na camada que consiste essencialmente niquelar, oposto ao carbide do silicone. Uma camada de barreira está na camada do refletor oposto à camada que consiste essencialmente niquelar, e uma camada da ligação está na camada de barreira oposto à camada do refletor. Encontrou-se que a camada que consistem essencialmente niquelar e a camada do refletor thereon podem fornecer um contato ôhmico reflexivo para o carbide do silicone que pode ter perdas ôhmicas baixas e/ou o reflectivity elevado.
