Semiconductor device and fabrication method thereof

   
   

A semiconductor device and a fabrication method thereof in which the semiconductor device includes capacitors having a metal/insulator/metal (MIM) structure are disclosed. The method includes forming an interlayer insulating film on a structure of a semiconductor substrate that exposes lower wiring and a lower insulating film; selectively etching the interlayer insulating film to form a first electrode opening that exposes the lower wiring; forming a first electrode in the first electrode opening such that the first electrode opening is filled; selectively etching the interlayer insulating film at a region of the same adjacent to the first electrode to thereby form a second electrode opening; forming a dielectric layer along inner walls that define the second electrode opening; forming a second electrode on the dielectric layer in such a manner to fill the second electrode opening; and forming upper wiring on at least a portion of the second electrode.

Ein Halbleiterelement und eine Herstellung Methode davon in welchem das Halbleiterelement die Kondensatoren miteinschließt, die eine metal/insulator/metal haben (MIM) Struktur, werden freigegeben. Die Methode schließt die Formung eines isolierenden Filmes der Zwischenlage auf einer Struktur eines Halbleitersubstrates ein, das unterere Verdrahtung und einen untereren isolierenden Film herausstellt; den isolierenden Film der Zwischenlage selektiv, ätzend, um eine erste Elektrode Öffnung zu bilden, die die unterere Verdrahtung herausstellt; Formung einer ersten Elektrode in der ersten Elektrode, die so öffnet, daß die erste Elektrode Öffnung gefüllt wird; den isolierenden Film der Zwischenlage an einer Region vomselben neben der ersten Elektrode selektiv ätzen, um eine zweite Elektrode Öffnung dadurch zu bilden; Formung eine dielektrische Schicht entlang inneren Wänden, die die zweite Elektrode Öffnung definieren; Formung einer zweiten Elektrode auf der dielektrischen Schicht in solch einer Weise, um die zweite Elektrode Öffnung zu füllen; und obere Verdrahtung auf mindestens einem Teil der zweiten Elektrode bildend.

 
Web www.patentalert.com

< High voltage semiconductor component

< Group III nitride compound semiconductor light-emitting element

> Display device

> High pressure reoxidation/anneal of high dielectric constant

~ 00133