The state of a surface of a substrate 11 or a GaN group compound
semiconductor film 12 formed on the substrate 11 is modified with an
anti-surfactant material and a GaN group compound semiconductor material
is supplied by a vapor phase growth method to form dot structures made of
the GaN group compound semiconductor on the surface of the semiconductor
film 12, and the growth is continued until the dot structures join and the
surface becomes flat. In this case, the dot structures join while forming
a cavity 21 on an anti-surfactant region. A dislocation line 22 extending
from the underlayer is blocked by the cavity 21, and therefore, the
dislocation density of an epitaxial film surface can be reduced. As a
result, the dislocation density of the GaN group compound semiconductor
crystal can be reduced without using a masking material in the epitaxial
growth, whereby a high quality epitaxial film can be obtained.
De staat van een oppervlakte van een substraat 11 of een GaN de halfgeleiderfilm 12 wordt van de groepssamenstelling die op substraat 11 wordt gevormd gewijzigd met een anti-capillair-actieve stofmateriaal en een GaN de halfgeleidermateriaal wordt van de groepssamenstelling geleverd door een de groeimethode van de dampfase om puntstructuren te vormen die van de GaN halfgeleider van de groepssamenstelling op de oppervlakte van halfgeleiderfilm 12 worden gemaakt, en de groei wordt voortgezet tot de puntstructuren toetreden en de oppervlakte wordt vlak. In dit geval, treden de puntstructuren terwijl het vormen van een holte 21 op een anti-capillair-actieve stofgebied toe. Een dislocatielijn 22 die zich van underlayer uitbreidt wordt geblokkeerd door holte 21, en daarom, kan de dislocatiedichtheid van een epitaxial filmoppervlakte worden verminderd. Dientengevolge, kan de dislocatiedichtheid van het GaN de halfgeleiderkristal van de groepssamenstelling worden verminderd zonder een maskerend materiaal in de epitaxial groei te gebruiken, waardoor een epitaxial film van uitstekende kwaliteit kan worden verkregen.
