A method of forming a PGO thin film on a high-k dielectric includes
preparing a silicon substrate, including forming a high-k gate oxide layer
thereon; patterning the high-k gate oxide; annealing the substrate in a
first annealing step; placing the substrate in a MOCVD chamber; depositing
a PGO thin film by injecting a PGO precursor into the MOCVD chamber; and
annealing the structure having a PGO thin film on a high-k gate oxide in a
second annealing step.
Un método de formar una película fina de PGO en un dieléctrico alto-k incluye la preparación de un substrato del silicio, incluyendo la formación de una capa alta-k del óxido de la puerta sobre eso; modelar el óxido alto-k de la puerta; recocer el substrato en un primer paso del recocido; colocación del substrato en un compartimiento del MOCVD; depositando una película fina de PGO inyectando un precursor de PGO en el compartimiento del MOCVD; y recocido la estructura que tiene una película fina de PGO en un óxido alto-k de la puerta en un segundo paso del recocido.
