In a semiconductor laser element, a lower cladding layer of a first
conductive type, a lower optical waveguide layer of the first conductive
type or an undoped type, a lower GaAs layer, a compressive-strain quantum
well active layer, and an upper GaAs layer are formed on a GaAs substrate
of the first conductive type. The upper GaAs layer, the active layer, and
the lower GaAs layer are partially removed in a vicinity of end facets of
a resonator, and the space of the vicinity of end facets is filled with an
upper optical waveguide layer of a second conductive type or an undoped
type, an upper cladding layer of the second conductive type, and a GaAs
contact layer of the second conductive type. Thus a window structure is
formed in the vicinity of the end facets.
В элементе лазера полупроводника, более низком слое плакирования первого проводного типа, более низком оптически слое волновода первого проводного типа или undoped типа, более низком слое gaAs, слое добра суммы сжимающ-napr4jeni4 активно, и верхнем слое gaAs сформируйте на субстрате gaAs первого проводного типа. Верхний слой gaAs, активно слой, и более низкий слой gaAs частично извлечутся в близости фасеток конца резонатора, и космос близости фасеток конца заполнен с верхним оптически слоем волновода второго проводного типа или undoped типа, верхним слоем плакирования второго проводного типа, и слоем контакта gaAs второго проводного типа. Таким образом структура окна сформирована в близости фасеток конца.
