MEMS structure with raised electrodes

   
   

In an electrostatically controlled deflection apparatus, such as a MEMS array having cavities formed around electrodes and which is mounted directly on a dielectric or controllably resistive substrate in which are embedded electrostatic actuation electrodes disposed in alignment with the individual MEMS elements, a mechanism is provided to mitigate the effects of uncontrolled dielectric surface potentials between the MEMS elements and the electrostatic actuation electrodes, the mechanism being raised electrodes relative to the dielectric or controllably resistive surface of the substrate. The aspect ratio of the gaps between elements (element height to element separation ratio) is at least 0.1 and preferably at least 0.5 and preferably between 0.75 and 2.0 with a typical choice of about 1.0, assuming a surface fill factor of 50% or greater. Higher aspect ratios at these fill factors are believed not to provide more than marginal improvement.

В электростатически контролируемом приборе отклонения, such as блок MEMS имея полости сформированные вокруг электродов и который установлено сразу на диэлектрике или controllably сопротивляющем субстрате в котором находятся врезанные электростатические электроды возбуждения размещанные in alignment with индивидуальные элементы MEMS, обеспечены, что mitigate механизм влияния uncontrolled диэлектрических поверхностных потенциалов между элементами MEMS и электростатическими электродами возбуждения, механизм поднятые электроды по отношению к диэлектрику или controllably сопротивляющей поверхности субстрата. Коэффициент сжатия зазоров между элементами (высотой элемента к коэффициента текучести элемента) по крайней мере 0.1 и предпочтительн по крайней мере 0.5 и предпочтительн между 0.75 и 2.0 при типичный выбор около 1.0, принимая поверхностный фактор заполнения 50% или больш. Поверены, что обеспечивают более высокие коэффициенты сжатия на этих факторах заполнения больше чем предельное улучшение.

 
Web www.patentalert.com

< Sensing device

< Laser with reduced parasitic etalon effects

> Differentially-driven MEMS spatial light modulator

> Micro-optical switch and method for manufacturing the same

~ 00132