A tunneling magnetoresistive stack configured to operate in a
current-perpendicular-to-plane mode has a plurality of layers including a
barrier layer. The TMR stack has a plurality of layers including a barrier
layer, wherein the barrier layer is comprised of an insulating material
selected from a group consisting of HfO, HfAlO, ZrO, TiO, TaO or NdO. The
TMR stack exhibits a low resistance-area (RA) product, a stable
magnetoresistive (MR) ratio, a lower RA product, a higher breakdown
voltage of the TMR stack and enhanced thermal stability.
Стог прокладывать тоннель магниторезистивный установленный для того чтобы работать в режиме в настоящее время-перпендикулярн-к-ploskosti имеет множественность слоев включая слой барьера. Стог TMR имеет множественность слоев включая слой барьера, при котором слой барьера состоится из изолируя материала выбранного от группы consist of HfO, HfAlO, ZrO, TiO, TaO или NdO. Стог TMR exhibits низкий продукт сопротивлени-zony (RA), стабилизированный магниторезистивный коэффициент (ГА-Н), более низкий продукт RA, более высокое напряжение тока нервного расстройства стога TMR и увеличенная термально стабилность.
